[发明专利]氮化铝陶瓷基板100瓦29dB衰减片无效
| 申请号： | 201410235302.7 | 申请日： | 2014-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN104241779A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 郝敏 | 申请（专利权）人： | 苏州市新诚氏电子有限公司 |
| 主分类号： | H01P1/22 | 分类号： | H01P1/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215129 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种氮化铝陶瓷基板100瓦29dB衰减片，其包括一长8.9mm、宽5.7mm、厚度1mm的氮化铝陶瓷基板，所述氮化铝基板的背面印刷有导体层，所述氮化铝基板的正面印刷有数个电阻及银浆导线，所述银浆导线连接电阻形成衰减电路，所述电阻上印刷有一层玻璃保护膜，所述导线及玻璃保护膜上印刷有一层环氧树脂保护膜，所述环氧树脂保护膜上印刷有一桥梁式介质。该衰减片通过改变调整电阻值的大小以及桥梁式介质的位置及线路来获得精确的衰减值。该氮化铝陶瓷基板100瓦29dB衰减片，功率可以满足100瓦的功率容量，驻波和衰减精度可以满足3G频段的使用要求，可以用于目前4G网络。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 陶瓷 100 29 db 衰减 | ||
【主权项】：
一种氮化铝陶瓷基板100瓦29B衰减片，其特征在于：其包括一长8.9mm、宽5.7mm、厚度1mm的氮化铝陶瓷基板，所述氮化铝基板的背面印刷有导体层，所述氮化铝基板的正面印刷有数个电阻及银浆导线，所述银浆导线连接电阻形成衰减电路，所述电阻上印刷有一层玻璃保护膜，所述导线及玻璃保护膜上印刷有一层环氧树脂保护膜，所述环氧树脂保护膜上印刷有一桥梁式介质。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州市新诚氏电子有限公司，未经苏州市新诚氏电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410235302.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
