[发明专利]ROM存储单元、存储阵列、存储器及读取方法有效

专利信息
申请号: 201410235563.9 申请日: 2014-05-29
公开(公告)号: CN105448342B 公开(公告)日: 2020-05-05
发明(设计)人: 王林 申请(专利权)人: 展讯通信(上海)有限公司
主分类号: G11C17/12 分类号: G11C17/12
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 骆苏华
地址: 201203 上海市浦东新区浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及ROM存储单元、存储阵列、存储器及读取方法。所述ROM存储单元至少可由CG‑FinFET晶体管和/或IG‑FinFET晶体管构成。本发明能够提高ROM存储单元的信息存储密度。
搜索关键词: rom 存储 单元 阵列 存储器 读取 方法
【主权项】:
一种ROM存储单元,其特征在于,至少包括第一NMOS晶体管;所述第一NMOS晶体管为CG‑FinFET晶体管,所述第一NMOS晶体管的栅极连接至第一字线,漏极连接至第一位线,源极连接至对地电平。
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