[发明专利]银纳米线薄膜及其制备方法、阵列基板、显示装置有效
| 申请号： | 201410235754.5 | 申请日： | 2014-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN103996457B | 公开（公告）日： | 2018-11-20 |
| 发明（设计）人： | 曲连杰;郭建 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;H01B1/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 张京波;曲鹏 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种银纳米线薄膜及其制备方法、阵列基板、显示装置；银纳米线薄膜包括形成在基板上的银纳米线层和形成在所述银纳米线层上的保护层；银纳米线薄膜的制备方法包括以下步骤：在基板上形成银纳米线层；在所述银纳米线层上方形成保护层；通过一次构图工艺，形成银纳米线图案，所述银纳米线图案的上方有保护层覆盖。本发明通过在银纳米线薄膜的成膜工艺中添加银纳米线抗氧化处理工艺，可以减少由于银纳米线层放置时间过长引起的膜层氧化问题，同时可以增加银纳米线层的导电能力，提升产品性能和寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 薄膜 及其 制备 方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种银纳米线薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在基板上形成银纳米线层；在非氧化气体环境中，在300℃～350℃的温度下，对所述银纳米线层进行烘干处理，将里面的溶剂大部分挥发掉，以得到一定硬度的银纳米线层；挥发溶剂的同时将被氧化的氧化银进行预还原处理；烘干时间是半个小时到一个小时之间；在所述银纳米线层上方形成保护层，形成保护层覆盖纳米银线层的二层结构；对形成有保护层的银纳米线层进行还原处理；通过一次构图工艺，形成银纳米线图案，所述银纳米线图案的上方有保护层覆盖。
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