[发明专利]干法刻蚀装置在审
| 申请号： | 201410236042.5 | 申请日： | 2014-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN105304443A | 公开（公告）日： | 2016-02-03 |
| 发明（设计）人： | 杨宏超;金一诺;张怀东;王坚;王晖 | 申请（专利权）人： | 盛美半导体设备(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张振军 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种干法刻蚀装置，包括：腔体；晶圆承载器，设置在所述腔体内，用于承载晶圆；第一真空抽气口，位于所述腔体的底壁，用于在刻蚀过程中对所述腔体抽气，以使所述腔体内的刻蚀气体自顶向下流动。本发明能够在晶圆表面提供均匀、稳定的刻蚀气体。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 装置 | ||
【主权项】：
一种干法刻蚀装置，其特征在于，包括：腔体；晶圆承载器，设置在所述腔体内，用于承载晶圆；第一真空抽气口，位于所述腔体的底壁，用于在刻蚀过程中对所述腔体抽气，以使所述腔体内的刻蚀气体自顶向下流动。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于盛美半导体设备(上海)有限公司，未经盛美半导体设备(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410236042.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种立方式激光剥蚀样品室
- 下一篇：一种安全接地故障断路器及其控制方法
