[发明专利]改善晶圆抛光均匀度的方法有效
申请号: | 201410236044.4 | 申请日: | 2014-05-30 |
公开(公告)号: | CN105225939B | 公开(公告)日: | 2019-08-16 |
发明(设计)人: | 代迎伟;金一诺;王坚;王晖 | 申请(专利权)人: | 盛美半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B24B37/02;B24B49/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 张振军 |
地址: | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种改善晶圆抛光均匀度的方法,主要在于确定初始转速ω的合理范围,并在某一给定的初始转速ω值下,控制X轴上其他各点的转速以实现对晶圆进行均匀抛光的目的。按照本发明方法选取相应的ω值,同时按照本方法确定的抛光方式对晶圆进行抛光,可以保证抛光后的晶圆在中心区域的“V形貌”满足晶圆均匀性要求,同时中心区域以外的各点也能得到均匀的抛光,大大提高了后续产品制造的良品率。 | ||
搜索关键词: | 改善 抛光 均匀 方法 | ||
【主权项】:
1.一种改善晶圆抛光均匀度的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)提供一抛光工作腔,所述工作腔内至少包括一晶圆固定盘和一抛光液喷头,所述晶圆固定盘具有绕垂直于盘面且穿过晶圆固定盘中心O的直线Y旋转的自由度,所述晶圆固定盘至少能够在其所在平面内沿一个过中心O的直线方向X相对于抛光液喷头平移;(2)将晶圆片固定在所述晶圆固定盘表面,所述晶圆片的中心与所述晶圆固定盘的中心O同处于直线Y上;(3)调整所述晶圆固定盘与抛光液喷头的相对初始位置,使所述抛光液喷头的中心与晶圆固定盘的中心O同处于直线Y上;(4)设置所述晶圆固定盘绕直线Y旋转的初始转速为ω;(5)向所述抛光工作腔供能,驱动所述晶圆固定盘绕直线Y转动,同时沿着直线方向X相对于所述抛光液喷头平移,对所述晶圆片进行抛光,在抛光所述晶圆片的中心区域时,所述晶圆固定盘的转速满足ωx=ω的关系,在抛光晶圆中心区域以外的部分时,晶圆固定盘的转速满足ωx=(a/RX)*ω的关系;(6)停止向抛光工作腔的供能并对所述晶圆片表面各处的抛光去除厚度进行测量;(7)根据步骤(6)的测量结果,判断在该ω的转速下所得的“V形貌”特征是否满足晶圆均匀性要求;(8)根据步骤(7)的判断结果,如果在ω的转速下“V形貌”不满足晶圆均匀性要求,则重复步骤(3)—(7),其中在步骤(4)中重新给定初始转速ω’,所述ω’>ω,直至得到的初始转速ωmin,在此初始转速ωmin下产生的“V形貌”满足晶圆均匀性要求;(9)根据步骤(7)的判断结果,如果在ω的转速下“V形貌”满足晶圆均匀性要求,则重复步骤(3)—(7),其中在步骤(4)中重新给定初始速度ω”,所述ω”<ω,直至得到初始转速ωmin,在此初始转速ωmin下产生的“V形貌”已不能满足晶圆均匀性要求;(10)记录ωmin和ωmax,所述ωmax是晶圆固定盘所能允许的最大转速,从而得到满足晶圆均匀性要求的初始转速ω的合理范围;(11)在步骤(10)确定的范围之内,选取一值对晶圆进行抛光;其中,所述ωx是晶圆固定盘运动至直线X上某点时晶圆固定盘对应的转速,所述a是抛光液喷头的边长,所述Rx是晶圆固定盘的中心O沿直线X相对于抛光液喷头发生的位移,所述晶圆的中心区域指晶圆片上以中心O为圆心且半径小于抛光液喷头的边长的区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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