[发明专利]一种Nb2O5/Cu/Nb2O5结构透明电极的制备方法

摘要

本发明公开了一种Nb₂O₅/Cu/Nb₂O₅结构透明电极的制备方法，利用掺杂和磁控溅射沉积技术，交替溅射，限制层厚；首先溅射沉积厚度为20nm～120nm的Nb₂O₅层，再溅射沉积厚度为3nm～20nm的Cu层，最后溅射沉积厚度为20nm～120nm的Nb₂O₅层。本发明由两Nb₂O₅层中间夹有Cu层组成，实现了薄膜电阻的最大程度降低，同时保持了在可见光区的高透过率，成本低廉，适合工业化生产。

主权项

一种Nb₂O₅/Cu/Nb₂O₅结构透明电极的制备方法，具有如下步骤：(1)将Nb₂O₅靶材和Cu靶材装入磁控溅射腔体内，另将清洁干燥的玻璃衬底放入磁控溅射样品台上，靶材与衬底的距离为40mm～90mm；(2)待步骤(1)完成后，将磁控溅射系统的本底真空度抽至1.0×10^‑5Torr以下，使用Ar作为溅射气体溅射Nb₂O₅层，溅射总气压为5mTorr～20mTott，溅射功率为50～200W，进行沉积得到厚度为20nm～120nm的Nb₂O₅层；(3)待步骤(2)完成后，开始溅射Cu层，溅射气压为3mTorr～20mTott，溅射功率30～200W，沉积得到厚度为3nm～20nm的Cu层；(4)待步骤(3)完成后，重新溅射Nb₂O₅层，溅射总气压为5mTorr～20mTott，溅射功率为50～200W，进行沉积得到厚度为20nm～120nm的Nb₂O₅层，制得Nb₂O₅/Cu/Nb₂O₅结构透明电极。