[发明专利]一种对RTB系磁体进行Dy扩散的方法、磁体和扩散源在审
| 申请号： | 201410238724.X | 申请日： | 2014-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN103985535A | 公开（公告）日： | 2014-08-13 |
| 发明（设计）人： | 永田浩;张建洪 | 申请（专利权）人： | 厦门钨业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;H01F1/057 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361015 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种对RTB系磁体进行Dy扩散的方法、磁体和扩散源，为包括在处理室内配置RTB系烧结磁体的准备工程、在同一处理室内的Dy扩散源的准备工程，使Dy扩散源蒸发到烧结磁体的Dy扩散工程的方法，其特征在于：所述Dy扩散源为平铺在高熔点金属网中的Dy急冷薄片或Dy合金急冷薄片，所述Dy急冷薄片或Dy合金急冷薄片的厚度在0.05～1mm。本发明通过将充填在高熔点金属网中的厚度在0.05～1mm的Dy急冷薄片或Dy合金急冷薄片替代Dy板或Dy合金板使用，以节省Dy材料的使用量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 rtb 磁体 进行 dy 扩散 方法 | ||
【主权项】：
一种对RTB系磁体进行Dy扩散的方法，包括在处理室内配置RTB系烧结磁体的准备工程，在同一处理室内的Dy扩散源的准备工程，和使Dy扩散源蒸发到所述烧结磁体的Dy扩散工程，其特征在于：所述Dy扩散源为平铺在高熔点金属网中的Dy急冷薄片或Dy合金急冷薄片，所述Dy急冷薄片或所述Dy合金急冷薄片的厚度在0.05～1mm。
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