[发明专利]具有共面形貌的多高度FINFET有效
| 申请号： | 201410238899.0 | 申请日： | 2014-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN104218086B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 程慷果;B·B·多里斯;P·哈希米;A·卡基菲鲁兹;A·雷茨尼采克 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人： | 贺月娇,于静 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有共面形貌的多高度FINFET。提供了一种半导体结构，其具有有着可变高度的半导体鳍而没有任何不适当的形貌。所述半导体结构包括具有第一半导体表面和第二半导体表面的半导体衬底，其中所述第一半导体表面位于所述第二半导体表面上方并且从所述第二半导体表面垂直偏移。氧化物区域直接位于所述第一半导体表面和/或所述第二半导体表面上。具有第一高度的第一组第一半导体鳍位于所述半导体衬底的所述第一半导体表面上方。具有第二高度的第二组第二半导体鳍位于所述第二半导体表面上方，其中所述第二高度不同于所述第一高度，并且其中每个第一半导体鳍和每个第二半导体鳍具有彼此共面的最上表面。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 形貌 高度 finfet | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：包括第一半导体表面和第二半导体表面的半导体衬底，其中所述第一半导体表面位于所述第二半导体表面上方并且从所述第二半导体表面垂直偏移；氧化物区域，其直接位于所述第一半导体表面和所述第二半导体表面中的至少一者上；具有第一高度的第一组第一半导体鳍，其位于所述半导体衬底的所述第一半导体表面上方；以及具有第二高度的第二组第二半导体鳍，其位于所述第二半导体表面上方，其中所述第二高度不同于所述第一高度，并且其中每个第一半导体鳍和每个第二半导体鳍具有最上表面，并且所述第一和第二半导体鳍的所述最上表面彼此共面，其中，存在于所述氧化物区域上的每个第一半导体鳍和/或每个第二半导体鳍的一个垂直侧壁表面与所述氧化物区域的最外垂直边缘垂直对准。
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