[发明专利]显示装置有效
申请号: | 201410239406.5 | 申请日: | 2009-09-01 |
公开(公告)号: | CN103985718B | 公开(公告)日: | 2019-03-22 |
发明(设计)人: | 山崎舜平;秋元健吾;小森茂树;鱼地秀贵;和田理人;千叶阳子 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786;G09G3/36 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 叶晓勇;王忠忠 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种显示装置,包括其中像素电极层按矩阵排列并且对应于该像素电极层而设置具有不同含氧量的至少两种氧化物半导体层的组合的反交错型薄膜晶体管的像素部。在该显示装置中在像素部周边,焊盘部设置成通过由与像素电极层相同的材料形成的导电层电连接到形成在对置衬底上的共同电极层。通过提供适合于在显示面板中设置的焊盘部的结构,可以实现本发明防止在各种显示装置中由于薄膜的分离所造成的缺陷的一个目的。 | ||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,包括:具有像素部和共同连接部的第一衬底;具有第一导电层的第二衬底;以及夹在所述第一衬底与所述第二衬底之间的导电粒子,其中,所述像素部包括:所述第一衬底上的栅电极;所述栅电极上的第一绝缘层;所述第一绝缘层上的氧化物半导体层;电连接到所述氧化物半导体层的第二导电层;电连接到所述氧化物半导体层的第三导电层;在所述第二导电层、所述第三导电层和所述氧化物半导体层上的第二绝缘层,所述第二绝缘层具有在所述第三导电层上形成的第一接触孔;以及所述第二绝缘层上的并且通过所述第一接触孔电连接到所述第三导电层的第四导电层,其中,所述共同连接部包括:所述第一衬底上的第三绝缘层;所述第三绝缘层上的第五导电层;所述第五导电层上形成的具有第二接触孔的第四绝缘层;和所述第四绝缘层上的并且通过所述第二接触孔电连接到所述第五导电层的第六导电层,其中,所述第六导电层通过所述导电粒子电连接到所述第一导电层,其中,所述第二导电层、所述第三导电层以及所述第五导电层由相同材料形成,其中,所述第四导电层和所述第六导电层由相同材料形成,其中,所述第一绝缘层和所述第三绝缘层由相同材料形成,其中,所述第二绝缘层和所述第四绝缘层由相同材料形成,其中,所述第一绝缘层的氧浓度具有浓度梯度,以及其中,所述氧浓度朝所述第一绝缘层和所述氧化物半导体层之间的界面增加。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
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H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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