[发明专利]半导体元件及其制造方法在审
| 申请号： | 201410239477.5 | 申请日： | 2014-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN104218119A | 公开（公告）日： | 2014-12-17 |
| 发明（设计）人： | 京野孝史;藤井慧;秋田胜史 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0352;H01L31/101 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 韩峰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体元件及其制造方法。一种制造半导体元件的方法，包括通过MOVPE形成多量子阱的步骤，在该多量子阱中，在GaSb衬底上交替地堆叠GaSb层和InAs层，其中，在形成多量子阱的步骤中，将InSb膜形成在InAs层的下表面侧和上表面侧中的至少一个上以至与InAs层接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造包括III‑V化合物半导体层叠体的半导体元件的方法，所述方法包括：通过金属有机气相外延法形成多量子阱的步骤，在所述多量子阱中，在GaSb衬底上交替地堆叠GaSb层和InAs层，其中，在形成多量子阱的步骤中，将InSb膜形成在所述InAs层的下表面侧和上表面侧中的至少一个上以至与所述InAs层相接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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