[发明专利]一种新型结构的LED芯片及其制作方法

摘要

本发明公开了一种新型结构的LED芯片及其制作方法，属于半导体器件领域。LED芯片结构包括N面电极、衬底、有源层、磷化嫁层、铟镓磷层、P面焊线电极、扩展电极和电流阻挡槽；其制作步骤包括在芯片P面生长的铟镓磷层，对磷化嫁层刻蚀粗化，用真空镀膜技术蒸镀P面焊线电极和扩展电极以及等离子刻蚀电流阻挡槽，扩展电极通过合金与磷化嫁层欧姆接触。本发明制作的LED芯片能将电流通过扩展电极扩展到整个芯片表面，增加了电流的有效利用，同时结合表面粗化，能有效提高芯片的发光率，具有结构简单、制作方法简便可行、易于制造的优点。

主权项

一种新型结构的LED芯片的制作方法，包括以下步骤：(a)生长铟镓磷层，利用金属有机气相外延生长技术在LED芯片P面生长铟镓磷层，MOCVD的气相反应物为三甲基铟、三甲基镓和磷烷，质量比例为1:1:100，在700℃及压力50Torr条件下生长厚度为的铟镓磷层；(b)光刻，使用掩膜板对步骤(a)得到的芯片P面进行光刻，掩膜板上有刻蚀孔(5)和P面焊线电极(1)；(c)湿法刻蚀，在步骤(b)得到的芯片P面焊线电极(1)上均匀涂布正性光刻胶，然后利用光刻版作为掩膜对芯片进行光刻；(d)去胶清洗，对步骤(c)得到的芯片进行去胶清洗，即先用去离子水清洗芯片5分钟，然后用丙酮在80℃条件下浸泡芯片30分钟，再使用去离子水清洗芯片5分钟，最后用热氮气吹干芯片；(e)真空镀膜，对步骤(d)得到的芯片表面用真空镀膜技术蒸镀金/金铍/金层，厚度分别为(f)光刻，对扩展电极(2)处用光刻胶保护，使用金刻蚀液在常温条件下将剩余金属层去除，当芯片表面颜色金色消失时即停止；(g)去胶清洗，对步骤(f)得到的芯片进行去胶清洗，方法同步骤(d)；(h)等离子刻蚀，对步骤(g)得到的芯片P面除电流阻挡槽(4)以外部分涂上耐高温负性光刻胶，匀胶速度为3000转/分，对电流阻挡槽(4)部分进行等离子刻蚀(ICP)得到电流阻挡槽；(i)去胶清洗，对步骤(h)得到的芯片进行去胶清洗，方法同步骤(d)；(j)欧姆接触，通过氮气氛围下400‑500℃高温融合10分钟将扩展电极(2)与磷化镓层形成欧姆接触。