[发明专利]用于制造半导体部件的方法

摘要

本发明涉及用于制造半导体部件的方法，该半导体部件包括具有单元结构的晶体管，该单元结构具有单片集成在半导体本体中并且并联地电连接的多个晶体管单元。在示例方法中，制造第一沟槽，第一沟槽从顶侧延伸至半导体本体中；同样地制造第二沟槽，每个第二沟槽从顶侧比每个第一沟槽更深地延伸至半导体本体中。在每个第一沟槽的表面上制造第一电介质，第一电介质邻接于半导体本体的第一部分上。并且在每个第二沟槽的表面上制造第二电介质。在每个第一沟槽中，制造栅极电极，之后通过去除半导体本体的底层使半导体本体的第二部分与半导体本体的第一部分电绝缘。

主权项

一种用于制造半导体部件的方法，所述半导体部件包括具有单元结构的晶体管，所述单元结构具有单片集成在半导体本体中并且并联地电连接的多个晶体管单元，所述方法包括：提供具有顶侧以及与所述顶侧相对的底侧的半导体本体；制造多个第一沟槽，所述第一沟槽从所述顶侧延伸至所述半导体本体中；制造多个第二沟槽，每个所述第二沟槽从所述顶侧比每个所述第一沟槽更深地延伸至所述半导体本体中；在每个所述第一沟槽的表面上制造第一沟槽隔离层，所述第一沟槽隔离层邻接于所述半导体本体的第一部分上；在每个所述第二沟槽的表面上制造第二沟槽隔离层；在每个所述第一沟槽中制造栅极电极；以及在制造所述栅极电极之后，通过去除所述半导体本体的底层使所述半导体本体的第二部分与所述半导体本体的所述第一部分电绝缘。