[发明专利]半导体测试结构及导电插塞与有源区接触性能的检测方法有效
| 申请号： | 201410240692.7 | 申请日： | 2014-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN105226051B | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 巨晓华;刘涛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 应战;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体测试结构及导电插塞与有源区接触性能的检测方法。测试结构包括：至少两组导电插塞，每组两个导电插塞，每组导电插塞的一端通过金属硅化物连接于同一选择晶体管的另一端有源区；每组导电插塞采用开尔文四线测试法进行测试获得一方程，联立两方程，即可准确获得导电插塞与具有金属硅化物的接触结构的电阻和。由于上述获得的导电插塞与接触结构之间完全通过金属硅化物连接，因而是导电插塞与接触良好的接触结构的电阻和，若被检测的半导体结构中导电插塞与及接触结构的电阻和大于上述电阻和，则说明被检测的半导体结构中导电插塞与半导体衬底之间并无金属硅化物或并非完全为金属硅化物，即两者接触性能不佳，反之，两者接触性能良好。 | ||
| 搜索关键词： | 导电插塞 金属硅化物 接触结构 电阻 半导体测试结构 半导体结构 检测 接触性能 源区接触 选择晶体管 测试结构 测试法 衬底 两组 四线 源区 半导体 测试 | ||
【主权项】：
1.一种半导体测试结构，所述测试结构形成在半导体衬底上，所述半导体衬底上具有NAND存储器阵列，所述NAND存储器阵列的单元包括：采用自对准双构图法形成的NAND存储单元串，以及用于选择所述NAND存储单元串的选择晶体管；其中，所述选择晶体管的一端有源区与所述NAND存储单元串的一端有源区连接，其特征在于，所述测试结构包括：至少两组导电插塞，每组两个导电插塞，每组中各导电插塞的一端通过金属硅化物连接于同一选择晶体管的另一端有源区，第一组导电插塞中两导电插塞之间的有源区长度与第二组导电插塞中两导电插塞之间的有源区长度不相等；信号施加焊垫与测试焊垫，每个导电插塞的另一端连接一个信号施加焊垫与一个测试焊垫。
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