[发明专利]生长在Cu衬底的GaN薄膜及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201410240830.1 | 申请日： | 2014-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN103996613A | 公开（公告）日： | 2014-08-20 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 广州市众拓光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L33/00;H01L33/02;H01L31/18;H01L31/0248 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 汤喜友 |
| 地址： | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种生长在Cu衬底的GaN薄膜，其特征在于，包括Cu衬底、AlN缓冲层和GaN薄膜，所述AlN缓冲层生长在Cu衬底上，所述GaN薄膜生长在AlN缓冲层上；所述Cu衬底以(111)面偏(100)方向0.5-1°为外延面。本发明还公开了一种生长在Cu衬底的GaN薄膜及其制备方法。本发明采用脉冲激光沉积技术生长工艺生长GaN薄膜，由于脉冲激光照射能为薄膜前驱体提供了较高的动能，可以很大程度地降低GaN薄膜的生长温度；另外由于低温下，外延层与衬底之间的界面反应受到抑制，为在金属Cu衬底上外延生长GaN薄膜提供了重要的保证，从而获得晶体质量好的生长在Cu衬底的GaN薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 cu 衬底 gan 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
生长在Cu衬底的GaN薄膜，其特征在于，包括Cu衬底、AlN缓冲层和GaN薄膜，所述AlN缓冲层生长在Cu衬底上，所述GaN薄膜生长在AlN缓冲层上；所述Cu衬底以(111)面偏(100)方向0.5‑1°为外延面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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