[发明专利]生长在蓝宝石衬底上的高均匀性GaN薄膜及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201410240857.0 | 申请日： | 2014-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN103996614A | 公开（公告）日： | 2014-08-20 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 广州市众拓光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L33/00;H01L33/02;H01L31/18;H01L31/0248 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 汤喜友 |
| 地址： | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种生长在蓝宝石衬底上的高均匀性GaN薄膜，包括Al2O3衬底及其(0001)面往(10-10)面偏0.2°方向依次外延生长的AlN形核层和GaN薄膜。本发明还涉及该GaN薄膜的制备方法，包括如下步骤：a.将Al2O3衬底进行清洁、退火处理；b.在经过a步骤处理的Al2O3衬底上再外延生长一层AlN形核层；c.在经过b步骤生长出的AlN形核层上外延生长一层GaN薄膜。本发明还涉及一种生长在蓝宝石衬底上的高均匀性GaN薄膜用于制备LED、光电探测器和太阳能电池。本发明的GaN薄膜成本低、质量优、均匀性高，应用广泛。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 蓝宝石 衬底 均匀 gan 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种生长在蓝宝石衬底上的高均匀性GaN薄膜，其特征在于：包括Al2O3衬底及其(0001)面往(10‑10)面偏0.2°方向依次外延生长的AlN形核层和GaN薄膜；所述AlN形核层的厚度为5‑10nm；所述GaN薄膜的厚度为100‑200nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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