[发明专利]一种BST/BMN复合薄膜压控变容管的制备方法有效
| 申请号： | 201410241888.8 | 申请日： | 2014-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN103993286A | 公开（公告）日： | 2014-08-20 |
| 发明（设计）人： | 李玲霞;于仕辉;许丹;董和磊;金雨馨 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/04 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 张宏祥 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种BST/BMN复合薄膜压控变容管的制备方法，首先采用固相烧结法制备Bi1.5Mg1.0Nb1.5O7即BMN靶材和Ba0.6Sr0.4TiO3即BST靶材，采用Pt-Si衬底，利用磁控溅射沉积技术，使用Ar和O2作为溅射气体，沉积得到厚度为150-300nm的BMN薄膜层与厚度为150-300nm的BST薄膜层，再于700℃进行后退火处理，利用掩膜版在BST薄膜上面制备金属电极，制得BST/BMN复合薄膜压控变容管。本发明介电损耗低(<0.005)，调谐率适中(≥30％@100KHz)，且器件稳定性好，为电子通讯设备的开发和应用提供了优良的电子元器件基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 bst bmn 复合 薄膜 压控变容管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种BST/BMN复合薄膜压控变容管的制备方法，具有如下步骤：(1)采用固相烧结法制备Bi1.5Mg1.0Nb1.5O7即BMN靶材和Ba0.6Sr0.4TiO3即BST靶材：按Bi1.5Mg1.0Nb1.5O7化学计量比，称取原料Bi2O3、MgO和Nb2O5，充分混合后压制成型，于1150℃烧制BMN靶材；按Ba0.6Sr0.4TiO3化学计量比。称取原料BaTiO3和SrTiO3，充分混合后压制成型，于1350℃烧制BST靶材；(2)将清洁干燥的Pt‑Si衬底放入磁控溅射样品台上；(3)将磁控溅射系统的本底真空抽至P<7.0×10‑6Torr，然后加热衬底至400～700℃；(4)在步骤(3)系统中，使用Ar和O2作为溅射气体，溅射功率为50～200W，进行沉积得到厚度为150‑400nm的BMN薄膜层；(5)待步骤(4)完成后，使用Ar和O2作为溅射气体，溅射功率为50～200W，进行沉积得到厚度为150‑400nm的BST薄膜层；待衬底温度降至100℃以下时，取出样品，在氧气气氛炉中于700℃进行后退火处理；(6)待步骤(5)完成后，在BST/BMN复合薄膜上面利用掩膜版制备金属电极。
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