[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410242276.0 | 申请日： | 2014-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN104241234B | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | 松本一治;大鸟居英 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 曹正建;陈桂香 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括第一半导体电子元件，所述第一半导体电子元件包括焊盘电极、焊料凸块以及位于焊盘与焊料之间的金属层，所述位于焊盘与焊料之间的金属层被配置成具有底层金属层和主金属层，所述底层金属层形成在所述焊盘电极与所述焊料凸块之间并与所述焊盘电极相连接，且所述主金属层形成在所述底层金属层上，其中，所述主金属层在其外边缘部处具有屋檐部。由此，在本发明中，在抑制大批量生产率的下降和成本的增加的同时防止了半导体电子元件之间的电连接和机械连接的可靠性的降低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其包括：第一半导体电子元件，所述第一半导体电子元件包括焊盘电极、焊料凸块以及位于所述焊盘电极与所述焊料凸块之间的金属层，位于所述焊盘电极与所述焊料凸块之间的所述金属层被配置成具有底层金属层和主金属层，所述底层金属层形成在所述焊盘电极与所述焊料凸块之间并与所述焊盘电极相连接，且所述主金属层形成在所述底层金属层上，其中，所述主金属层在其外边缘部处具有相对于所述底层金属层的顶层朝外部突出的屋檐部，其中，根据所述焊料凸块的直径来设定所述屋檐部的长度。
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