[发明专利]一种碳负载的纳米硅颗粒结构及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 201410242323.1 申请日: 2014-05-30
公开(公告)号: CN103985846A 公开(公告)日: 2014-08-13
发明(设计)人: 牛春明;张翼;姜怡喆 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: H01M4/36 分类号: H01M4/36;H01G11/30;H01G11/24;H01G11/86
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 陆万寿
地址: 710049 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开一种碳负载的纳米硅颗粒结构及其制备方法和应用,主要结构是纳米硅颗粒中的部分硅原子同碳在介面形成硅-碳化学键;大于50%的纳米硅颗粒通过硅-碳化学键锚在碳的a-b基面,包括将纳米SiO2、金属镁粉和碳载体混合,混合法包括直接混合或将纳米SiO2负载到碳载体表面,再同镁粉混合;然后在惰性气体气氛或真空下用球磨机球磨进一步混合均匀;将混合物在惰性气氛下加热使镁和SiO2发生化学反应,将SiO2还原成硅;酸洗去除反应副产物MgO、未反应的镁和可溶性杂质;在惰性气体或真空条件下加热使纳米硅颗粒与碳在介面发生反应,将纳米硅颗粒通过化学成键固定在碳表面,本发明简单可行、成本较低、适合工业化生产。
搜索关键词: 一种 负载 纳米 颗粒 结构 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
一种碳负载的纳米硅颗粒结构,其特征在于,50%以上的纳米硅颗粒负载在碳的a‑b基面,所述纳米硅颗粒中的介面部分硅原子同碳在介面通过化学反应形成硅‑碳化学键;纳米硅颗粒通过硅‑碳化学键锚在碳的a‑b基面。
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