[发明专利]半导体器件

摘要

本发明提供了一种包括薄膜晶体管的半导体器件，该薄膜晶体管具有氧化物半导体层和优秀的电特性。此外，提供了一种用于制造半导体器件的方法，其中在一个衬底上形成多种类型的不同结构的薄膜晶体管以形成多种类型的电路，而且其中没有显著增加步骤数量。在绝缘表面上形成金属薄膜之后，在该金属薄膜上形成氧化物半导体层。然后，执行诸如热处理之类的氧化处理以部分或全部地氧化该金属薄膜。此外，在诸如逻辑电路之类强调操作速度的电路与矩阵电路之间，薄膜晶体管的结构不同。

主权项

一种包括反相器电路和像素的半导体器件，所述反相器电路包括：第一晶体管；第二晶体管；且其中所述第一晶体管的源极电连接至所述第二晶体管的漏极；其中所述第一晶体管的栅极电连接至所述第一晶体管的源极，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管中的至少一个的沟道形成区包括第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层，其中所述第二氧化物半导体层设置在所述第一氧化物半导体层上，且其中所述第一氧化物半导体层具有比所述第二氧化物半导体层低的电阻率，且所述像素包括第三晶体管，其中所述第三晶体管的沟道形成区由第三氧化物半导体层的单层形成。