[发明专利]一种颗粒薄膜磁电阻器件及制备

摘要

本发明涉及一种Ni/P3HT颗粒薄膜磁电阻器件及其制备方法。该新型磁电阻器件在制备过程中采用旋涂与离子束沉积相结合的方法，该方法灵活简便，成本低，与现有薄膜工艺兼容性好，获得的薄膜质量较高，制得的磁电阻器件具有较高的室温磁电阻。

主权项

一种Ni/P3HT颗粒薄膜磁电阻器件，其特征在于在有机半导体P3HT薄膜上，通过离子束沉积的方法嵌入Ni的纳米颗粒，形成一种颗粒薄膜结构，其特征在于制备过程将旋涂与离子束沉积技术相结合，具体步骤如下：1)将有机半导体P3HT溶于三氯甲烷有机溶剂中，浓度为10mg/ml，在常温下避光搅拌24小时，使P3HT充分溶解均匀；2)将步骤1)的混合溶液滴在清洁的玻璃衬底上，打开旋涂仪进行旋涂，旋涂仪转速为1000‑4000rpm，旋涂时间为20‑60s；3)将步骤2)的得到的覆盖有P3HT的玻璃片放入真空干燥箱，在80℃的温度下真空干燥10小时，得到P3HT薄膜；4)将步骤3)得到的P3HT薄膜作为衬底安装在离子束沉积系统的基片转台上，抽真空，当真空室压强低于6.67×10‑4Pa后开始沉积镍薄膜，得到最终的Ni/P3HT磁电阻器件；5)步骤4)所述的离子束沉积过程中，靶材选用99.99％的镍靶，衬底温度保持常温，衬底以20rpm的速率自转；6)步骤4)所述的离子束沉积过程中，应向真空室通入99.999％的高纯Ar气，真空室的Ar气压强为1.4×10‑2Pa，Ar气流量为3sccm，溅射束流为20mA，溅射能量为1000eV，溅射时间为20分钟。