[发明专利]一种基于二极管桥实现的忆阻混沌信号发生器在审
申请号: | 201410243140.1 | 申请日: | 2014-06-04 |
公开(公告)号: | CN104022864A | 公开(公告)日: | 2014-09-03 |
发明(设计)人: | 包伯成;于晶晶;胡丰伟;姜盼;王春丽 | 申请(专利权)人: | 常州大学 |
主分类号: | H04L9/00 | 分类号: | H04L9/00;H03K3/84 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 楼高潮 |
地址: | 213164 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开一种基于二极管桥实现的忆阻混沌信号发生器,二极管桥级联RC滤波器构成的忆阻器M包括二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、电阻R、电容C;二极管D1负极端与二极管D2负极端相连,记作e端;二极管D2正极端与二极管D3负极端相连,记作f端;二极管D3正极端与二极管D4正极端相连,记作g端;二极管D4负极端与二极管D1正极端相连,记作h端;h端、f端分别与电容C2的正、负极端相连;电阻R的正、负极端分别与电容C的正、负极端相连;通过用结构简单且有双端输入特性优点的二极管桥级联RC滤波器构成的忆阻等效电路替换规范式蔡氏电路中的蔡氏二极管,通过调节系统参数即可产生多种混沌现象。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 二极管 实现 混沌 信号发生器 | ||
【主权项】:
一种基于二极管桥实现的忆阻混沌信号发生器,其特征是:包括:负阻G、电容、电容、电感L、二极管桥级联RC滤波器构成的忆阻器M,负阻G正、负极端分别与电容的正、负极端相连,分别记做a、b端;二极管桥级联RC滤波器构成的忆阻器M的正、负极端分别与电容的正、负极端相连,并分别记做c、d端;电感L的正极端、负极端分别连接电容的正极端、电容的正极端。
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