[发明专利]一种三维磁阻传感器的制造方法和电子装置在审
| 申请号： | 201410243222.6 | 申请日： | 2014-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN105336847A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 徐伟;刘国安 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;G01R33/09 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;赵礼杰 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种三维磁阻传感器的制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。本发明的三维磁阻传感器的制造方法，包括：步骤S101：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成具有开口的硬掩膜层；步骤S102：通过湿法刻蚀在所述半导体衬底内形成位于所述开口下方的倒梯形沟槽；步骤S103：在所述倒梯形沟槽的底部与侧壁之上形成磁性材料元件。该方法采用湿法刻蚀形成用于设置磁性材料元件的倒梯形沟槽，可以很好地控制倒梯形沟槽的侧壁与半导体衬底下表面的夹角，并且可以保证倒梯形沟槽的表面平坦度，因而可以提高三维磁阻传感器的良率。本发明的电子装置，采用根据上述方法制造的三维磁阻传感器，同样具有上述优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 磁阻 传感器 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种三维磁阻传感器的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S101：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成具有开口的硬掩膜层；步骤S102：通过湿法刻蚀在所述半导体衬底内形成位于所述开口下方的倒梯形沟槽；步骤S103：在所述倒梯形沟槽的底部与侧壁之上形成磁性材料元件。
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