[发明专利]半导体结构及其制备方法

摘要

本发明提供了一种半导体结构，包括基底，所述基底包括连接区以及功能区，所述连接区内包括一连接层；保护绝缘层，位于所述基底的一侧；至少一第一开口，所述第一开口暴露所述连接层，所述第一开口内填充有导电材料形成的导电结构；垫片，位于所述保护绝缘层背离所述基底的一侧，并位于所述连接区上，所述垫片通过所述导电结构与所述连接层相连；金属结构，位于所述保护绝缘层背离所述基底的一侧，并位于所述功能区上。本发明还提供了上述半导体结构的制备方法，所述垫片和所述金属结构的材料可以使用同一金属层，所以，只需制备一层所述金属层，并经过一次选择性刻蚀，即可同时得到所述垫片和所述金属结构，简化工艺，提高产能，降低成本。

主权项

一种半导体结构，其特征在于，包括：基底，所述基底包括连接区以及功能区，所述连接区内包括一连接层；保护绝缘层，位于所述基底的一侧；至少一第一开口，位于所述基底的一侧，所述第一开口暴露所述连接层，所述第一开口的侧壁具有一侧壁绝缘层，所述第一开口内填充有导电材料形成的导电结构；垫片，位于所述保护绝缘层背离所述基底的一侧，并位于所述连接区上，所述垫片覆盖所述导电结构并通过所述导电结构与所述连接层相连；金属结构，位于所述保护绝缘层背离所述基底的一侧，并位于所述功能区上；保护层，所述保护层位于所述基底的一侧，并覆盖所述垫片和金属结构，所述保护层在所述金属结构之间形成有间隙；滤光片，设置于所述间隙之中。