[发明专利]一种非晶硅薄膜的低频噪声测试方法在审
申请号: | 201410243683.3 | 申请日: | 2014-06-04 |
公开(公告)号: | CN104020365A | 公开(公告)日: | 2014-09-03 |
发明(设计)人: | 李伟;程旭;王冲;王志辉;顾德恩;蒋亚东 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | G01R29/26 | 分类号: | G01R29/26 |
代理公司: | 成都华典专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人: | 徐丰 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种非晶硅薄膜的低频噪声测试方法,具体涉及非晶硅薄膜的低频电流噪声测试技术,该测试技术使用的测试系统包括:偏置电路、电磁屏蔽装置、噪声放大系统以及数据采集与处理系统。首先通过偏置电路激发出非晶硅薄膜的低频电流噪声,再通过低噪声电流放大器将样品低频噪声放大,继而通过数据采集卡采集放大后的噪声信号并计算出相应的电流噪声信号功率谱密度,最后利用电脑分析和处理数据,得出非晶硅薄膜低频噪声的功率谱密度曲线。本发明一种非晶硅薄膜的低频噪声测试方法可实现非晶硅薄膜低频噪声的可重复精确测试,方便快捷。 | ||
搜索关键词: | 一种 非晶硅 薄膜 低频 噪声 测试 方法 | ||
【主权项】:
一种非晶硅薄膜的低频噪声测试方法,其特征在于所述方法包括以下步骤:(1)、将待测的非晶硅薄膜样品固定在含有散热性良好材料的金属盒中,通过金丝键合将薄膜电极两端的导线引出并接入到偏置电路中,偏置电路对非晶硅薄膜样品施加偏置电压以激发出样品的电流噪声信号;(2)、根据需要测试和分析的样品数量,选择要开启的采集通道数,并开启相应通道上的低噪声电流放大器,根据非晶硅薄膜样品电阻值以及施加的样品电压不同,调节低噪声电流放大器的放大倍数并记录,确保放大后的信号幅值在数据采集卡的量程之内;(3)、通过数据采集卡将低噪声放大器输出的模拟噪声信号转换为数字信号,并将采集到的噪声信号传输到后端电脑以便进行信号处理;(4)、分析和处理信号得到相应的噪声功率谱密度曲线;(5)、利用曲线拟合对噪声功率谱密度曲线进行分析。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410243683.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:轨道衡重轨的刨直角偏刃刀
- 下一篇:一种基于物联网的光电幕墙监测系统