[发明专利]二元内容可寻址存储器单元和三元内容可寻址存储器单元

摘要

本发明提供一种二元内容可寻址存储器单元和三元内容可寻址存储器单元。二元内容可寻址存储器单元包括：存储电路；第一放电电路，根据第一存储比特和第一搜索比特，第一放电电路被配置为放电或不放电匹配线，其中第一放电电路包括：第一PMOS晶体管，第一PMOS晶体管的栅极用于接收第一存储比特和第一搜索比特的其中之一；以及第二放电电路，根据第二存储比特和第二搜索比特，第二放电电路被配置为放电或不放电匹配线，其中第二放电电路包括：第二PMOS晶体管，第二PMOS晶体管的栅极用于接收第二存储比特和搜索比特的其中之一。本发明所提出的二元CAM单元和三元TCAM单元，在执行搜索操作时具有较低的功率消耗。

主权项

一种三元内容可寻址存储器单元，其特征在于，包括：第一存储电路，配置为提供第一存储比特；第一放电电路，耦接于该第一存储电路，第一搜索线和匹配线，根据该第一存储电路提供的该第一存储比特和该第一搜索线提供的第一搜索比特，该第一放电电路被配置为放电或不放电该匹配线，该第一放电电路包括：第一PMOS晶体管，该第一PMOS晶体管的栅极用于接收该第一存储比特和该第一搜索比特的其中之一；第二存储电路，配置为提供第二存储比特；以及第二放电电路，耦接于该第二存储电路，第二搜索线和该匹配线，根据该第二存储电路提供的该第二存储比特和该第二搜索线提供的第二搜索比特，该第二放电电路被配置为放电或不放电该匹配线，该第二放电电路包括：第二PMOS晶体管，该第二PMOS晶体管的栅极用于接收该第二存储比特和该搜索比特的其中之一。