[发明专利]大芯体多模光纤

摘要

本发明描述了通过改进的方法制备的多模光纤，该方法降低了制造成本。这些方法在功率损耗方面也可以更高效。在多个具体实施方式之一中，改进的设计具有从管棒法得到的纯二氧化硅大芯体。在该具体实施方式中，使用等温射频等离子体沉积，通过将氟掺杂的二氧化硅沉积于二氧化硅起动管内制备下掺杂包层。插入二氧化硅芯并将二氧化硅起动管熔塌。去除二氧化硅起动管并且从氟掺杂的玻璃包覆的二氧化硅棒中拉制光纤。

主权项

1.一种光纤制造方法，包括：(i)通过等温射频等离子体内沉积(IRFPID)在IRFPID二氧化硅起动管内形成下掺杂玻璃层，其中所述IRFPID包括：(i’)将二氧化硅起动管放置在等离子体发生器的谐振线圈内；(ii’)将包含下掺杂剂的化学反应物引入所述二氧化硅起动管内；(iii’)保持二氧化硅起动管内的内压低于大气压；(iv’)激发谐振线圈从而在二氧化硅起动管内产生等温等离子体；(v’)加热衬底管的内壁；和(vi’)仅在产生的等温等离子体上游的狭窄区域内使下掺杂玻璃沉积于二氧化硅起动管上而在等温等离子体内不发生沉积，所述狭窄区域不大于所述二氧化硅起动管长度的1％,其中等离子体发生器的功率范围为2－20kW，包含下掺杂剂的化学反应物是含氟掺杂剂的化学反应物，将含氟掺杂剂的化学反应物以1至2000cc/分钟(cc/min)输送到二氧化硅起动管内；二氧化硅起动管内的内压介于0.1至50托；将衬底管的内壁加热至介于1000℃至1600℃的范围；以50至15000cc/min输送O2；以0至2000cc/min输送SiCl4；等温等离子体的横向速率超过1m/min；和等温等离子体的横向长度超过0.1m，和所述下掺杂玻璃层的负δ值低于‑0.05％，其中δ值是折射率与表示纯二氧化硅的折射率的基值0之间的常用百分比差，并且其中二氧化硅起动管具有10‑15的长度与直径比，并且所述方法进一步包括：(ii)将玻璃芯棒插入IRFPID二氧化硅起动管中；和(iii)使IRFPID二氧化硅起动管熔塌于所述玻璃芯棒上从而产生具有芯材和在所述芯材上的下掺杂包层材料的第一固态玻璃体。