[发明专利]一种大尺寸原子层厚六方氮化硼单晶的制备方法在审
| 申请号： | 201410246280.4 | 申请日： | 2014-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN104060322A | 公开（公告）日： | 2014-09-24 |
| 发明（设计）人： | 郭万林;殷俊;李雪梅 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00;C30B29/60;C30B29/40 |
| 代理公司： | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人： | 贺翔 |
| 地址： | 210016 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种大尺寸原子层厚六方氮化硼单晶的制备方法，选用单晶Ge或单晶Si为基底，将基底清洗后升温，单晶Ge升温至800～930℃，单晶Si升温至1000～1400℃，使用化学气相沉积法在基底表面生长大尺寸原子层厚六方氮化硼单晶。本发明利用Ge、Si等单晶表面生长的六方氮化硼的晶粒取向对基底晶向的依赖关系，使得不同晶粒长大后边界拼接相匹配，形成大面积高质量六方氮化硼单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 原子 层厚六方 氮化 硼单晶 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种大尺寸原子层厚六方氮化硼单晶的制备方法，其特征在于：选用单晶Ge或单晶Si为基底，将基底清洗后升温，单晶Ge基底升温至800～930℃，单晶Si基底升温至1000～1400℃，使用化学气相沉积法在基底表面生长大尺寸原子层厚六方氮化硼单晶。
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