[发明专利]基板结构及其制作方法有效
申请号: | 201410246628.X | 申请日: | 2014-06-05 |
公开(公告)号: | CN105023847B | 公开(公告)日: | 2018-02-02 |
发明(设计)人: | 王朝民 | 申请(专利权)人: | 旭德科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/498 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种基板结构及其制作方法,该基板结构制作方法包括下列步骤。提供基板。基板包括支撑层、两离型层及两基底金属层。两离型层分别设置于支撑层的相对两表面上。各基底金属层覆盖于各离型层上。各形成第一图案化防焊层于各基底金属层上。各压合叠构层于各基底金属层上,且各叠构层覆盖对应的第一图案化防焊层。各叠构层包括介电层及金属箔层。各介电层位于对应的基底金属层及金属箔层之间。令各基底金属层与支撑层脱离。对各基底金属层进行图案化制作工艺,以各形成图案化金属层于各该叠构层上。各图案化金属层暴露对应的第一图案化防焊层。 | ||
搜索关键词: | 板结 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种基板结构的制作方法,其特征在于,包括:提供基板,该基板包括支撑层、两离型层以及两基底金属层,该两离型层分别设置于该支撑层的相对两表面上,该两基底金属层分别覆盖于该两离型层上;各形成图案化金属层于各该基底金属层上,各该图案化金属层包括多个开口,以暴露对应的部分基底金属层;各形成第一图案化防焊层于各该图案化金属层上,以覆盖被暴露的部分基底金属层;各压合叠构层于各该图案化金属层上,且各该叠构层覆盖对应的第一图案化防焊层,其中,各该叠构层包括介电层以及金属箔层,各该介电层设置于对应的图案化金属层以及对应的金属箔层之间;令各该基底金属层与该离型层脱离,以移除该支撑层;移除各该基底金属层,以暴露各该图案化金属层及各该第一图案化防焊层;以及各形成第二图案化防焊层于暴露的各该第一图案化防焊层以及各该金属箔层上,且各该第二图案化防焊层覆盖部分对应的图案化金属层,且各该第二图案化防焊层直接接触对应的该第一图案化防焊层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造