[发明专利]高压自举式栅极驱动装置有效
| 申请号： | 201410246723.X | 申请日： | 2014-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN105024676B | 公开（公告）日： | 2017-12-29 |
| 发明（设计）人： | 郭明奇;蔡宗志;徐仁耀 | 申请（专利权）人： | 钜晶电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 史新宏 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种高压自举式栅极驱动装置，包括高端晶体管、低端晶体管、缓冲器、升压电容以及高压耗尽型晶体管。高端晶体管接收第一电源电压。缓冲器则依据偏压电压以提供高端驱动信号至高端晶体管。升压电容串接在基准电压以及偏压电压间。耗尽型晶体管的第一端耦接至第二电源电压，耗尽型晶体管的第二端耦接至偏压电压，且耗尽型晶体管的控制端接收参考接地电压。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 栅极 驱动 装置 | ||
【主权项】：
一种高压自举式栅极驱动装置，包括：高端晶体管，具有第一端、第二端以及控制端，其第一端接收第一电源电压；低端晶体管，具有第一端、第二端以及控制端，其第一端耦接至该高端晶体管的第二端，该低端晶体管的第二端耦接至参考接地电压；缓冲器，依据偏压电压以提供高端驱动信号至该高端晶体管的控制端，并提供低端驱动信号至低端晶体管的控制端；升压电容，串接在基准电压以及该偏压电压间，其中该基准电压产生在该高端晶体管的第二端；耗尽型晶体管，具有第一端、第二端以及控制端，其第一端耦接至第二电源电压，该耗尽型晶体管的第二端耦接至该偏压电压，且该耗尽型晶体管的控制端接收该参考接地电压；其中当该低端晶体管依据该低端驱动信号而导通时，该高端晶体管被断开，该第二电源电压通过该耗尽型晶体管以对该升压电容充电，并使该偏压电压等于该耗尽型晶体管的临界关闭电压，其中当该高端晶体管依据该高端驱动信号而导通时，该低端晶体管被断开，且该偏压电压被上拉至等于该第一电源电压加上该临界关闭电压。
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