[发明专利]一种介孔二氧化硅包覆单壁碳纳米管的制备方法有效
| 申请号： | 201410246919.9 | 申请日： | 2014-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN104030294A | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | 古宏晨;王耀 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C01B33/12 | 分类号： | C01B33/12;C01B31/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 | 代理人： | 郑立 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种介孔二氧化硅包覆单壁碳纳米管的制备方法。所述方法通过一步法将表面活性剂分子固定在单壁碳纳米管表面，以非共价键的方式诱导介孔二氧化硅壳层的包覆生长，不仅实现了对介孔二氧化硅壳层厚度的调控，并且可以消除氧化硅自成核现象的发生；此方法还可以在介孔孔壁和壳层外表面修饰不同的功能基团，使复合材料易于分散于各类溶剂中，提高了单壁碳纳米管的分散稳定性，同时介孔孔道可用来装载和传输不同的客体分子，具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二氧化硅 包覆单壁碳 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种介孔二氧化硅包覆单壁碳纳米管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将单壁碳纳米管、表面活性剂和去离子水按质量比为1：1～100：5000～20000进行混合，超声分散5～720分钟，得到溶液a；(2)将所述溶液a的pH值调节到8.0～12.0之间，加入四烷氧基硅和硅烷偶联剂，在25℃～75℃条件下反应，得到溶液b；(3)将所述溶液b离心分离，得到黑色沉淀，将所述黑色沉淀去除模板，得到的产物即为所述介孔二氧化硅包覆单壁碳纳米管。
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