[发明专利]半导体结构有效
| 申请号： | 201410247121.6 | 申请日： | 2014-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN105304615B | 公开（公告）日： | 2018-03-23 |
| 发明（设计）人： | 周志飚;吴少慧;古其发 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体结构，包括一堆叠电容结构。堆叠电容结构包括一第一内金属层、一第一绝缘层、一第二内金属层、一第二绝缘层及一第三内金属层。第一内金属层包括一第一衬垫区邻近第一内金属层的一边缘。第一绝缘层设置于第一内金属层上且暴露第一衬垫区。第二内金属层设置于第一绝缘层上，第二内金属层包括一第二衬垫区邻近第二内金属层的一边缘。第二绝缘层设置于第二内金属层上且暴露第二衬垫区。第一衬垫区与第二衬垫区具有多个衬垫。第三内金属层覆盖第二内金属层，且包括至少一第一狭缝区。第一狭缝区对应于第二衬垫区，使第二衬垫区上的衬垫裸露。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：堆叠电容结构，包括：第一内金属层，包括第一衬垫区，邻近该第一内金属层的一边缘，该第一衬垫区具有多个衬垫；第一绝缘层，设置于该第一内金属层上且暴露该第一衬垫区；第二内金属层，设置于该第一绝缘层上，该第二内金属层包括一第二衬垫区邻近该第二内金属层的一边缘，该第二衬垫区具有多个衬垫；第二绝缘层，设置于该第二内金属层上且暴露该第二衬垫区；以及第三内金属层，覆盖该第二内金属层，该第三内金属层包括至少一第一狭缝区，该第一狭缝区对应于该第二衬垫区，使该第二衬垫区上的衬垫裸露，其中该第二内金属层覆盖该第一内金属层，且该第二内金属层包括第二狭缝区，该第二狭缝区对应于该第一衬垫区，使该第一衬垫区上的衬垫裸露。
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