[发明专利]聚酰亚胺太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201410247125.4 | 申请日: | 2014-06-05 |
公开(公告)号: | CN105244393B | 公开(公告)日: | 2017-04-19 |
发明(设计)人: | 何绪林;梅军;廖成;刘江;叶勤燕;刘焕明 | 申请(专利权)人: | 中物院成都科学技术发展中心 |
主分类号: | H01L31/0392 | 分类号: | H01L31/0392;H01L31/0749;H01L31/18 |
代理公司: | 四川力久律师事务所51221 | 代理人: | 曹晋玲,刘雪莲 |
地址: | 610200 四川省成都市青羊区八宝街*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明涉及太阳电池领域,具体公开了一种聚酰亚胺太阳能电池,包括聚酰亚胺基底和在聚酰亚胺基底上依次形成的扩散阻挡层、第一电极层、吸收层、缓冲层、第二电极层、减反层和表面电极层,扩散阻挡层为三层或三层以上结构,扩散阻挡层的每一层任选由以下组制成铝、钼、钛、镍、铜、锆、铌、铬、钌、铑、钯、钽、钨、铱、锇、铂、金或银,或它们的合金;硅的氮化物、氧化物或碳化物;氮化钛、氮化钽、氮化钨或氮化锆。本发明的聚酰亚胺太阳能电池,扩散阻挡层能有效阻挡基底杂质元素进入吸收层,显著增加扩散阻挡层与基底、第一电极层的结合力。本发明同时提供了前述聚酰亚胺太阳能电池的制备方法,以及聚酰亚胺太阳能电池扩散阻挡层。 | ||
搜索关键词: | 聚酰亚胺 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
聚酰亚胺太阳能电池,包括聚酰亚胺基底和在聚酰亚胺基底上依次形成的扩散阻挡层、第一电极层、吸收层、缓冲层、第二电极层、减反层和表面电极层,其特征在于,所述扩散阻挡层为三层结构,包括靠近基底层、中间层和靠近第一电极层;所述靠近基底层由钛制成,所述中间层由氮化钛制成,所述靠近第一电极层由钛制成,所述扩散阻挡层的厚度为1200nm,所述第一电极层为钼薄膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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