[发明专利]一种多晶硅薄膜残余应力的测试结构及其测试方法有效
| 申请号： | 201410247676.0 | 申请日： | 2014-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN104122012A | 公开（公告）日： | 2014-10-29 |
| 发明（设计）人： | 周再发;王雷;黄庆安;屠晨锋;李伟华 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G01L1/00 | 分类号： | G01L1/00 |
| 代理公司： | 江苏永衡昭辉律师事务所 32250 | 代理人： | 王斌 |
| 地址： | 210096*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种多晶硅薄膜残余应力的测试结构及其测试方法，包括硅衬底，硅衬底上设二氧化硅层和氮化硅层，氮化硅层上设东南西北向偏转结构，东西镜面对称，南北镜面对称，东南西北向偏转结构采用偏转结构，偏转结构包括指针梁，在指针梁上垂直连接有驱动梁，指针梁及驱动梁分别连接于设在氮化硅层上的第一和第二锚区，东西向偏转结构中的指针梁在同一条直线上，南北向偏转结构中的指针梁在同一条直线上，东西向偏转结构中的指针梁与南北向偏转结构中的指针梁相垂直，各个偏转结构的指针梁及驱动梁连接于设在氮化硅层上的PSG牺牲层，当PSG牺牲层被释放后，测得东北向偏转结构中的指针梁的夹角及西南向偏转结构中的指针梁的夹角，计算残余应力σ。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 薄膜 残余 应力 测试 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅薄膜残余应力的测试结构，其特征在于，包括：硅衬底(5)，在硅衬底(5)上设有二氧化硅层(6)，在二氧化硅层(6)上设有氮化硅层(7)，在氮化硅层(7)上设有东向偏转结构、南向偏转结构、西向偏转结构及北向偏转结构，东向偏转结构与西向偏转结构呈现镜面对称，南向偏转结构与北向偏转结构呈现镜面对称，东向偏转结构、南向偏转结构、西向偏转结构及北向偏转结构采用结构相同的偏转结构，所述偏转结构包括指针梁(1)，在指针梁(1)上垂直连接有驱动梁(2)，指针梁(1)及驱动梁(2)分别连接于设在氮化硅层(7)上的第一锚区(3)和第二锚区(4)，东向偏转结构与西向偏转结构中的指针梁在同一条直线上，南向偏转结构与北向偏转结构中的指针梁在同一条直线上，东向偏转结构与西向偏转结构中的指针梁与南向偏转结构与北向偏转结构中的指针梁相垂直，各个偏转结构的指针梁及驱动梁连接于设在氮化硅层(7)上的PSG牺牲层(8)，当PSG牺牲层(8)被释放后，各个偏转结构的指针梁发生偏转，利用发生偏转后的东向偏转结构中的指针梁与北向偏转结构中的指针梁之间的夹角(α)及发生偏转后的西向偏转结构中的指针梁与南向偏转结构中的指针梁之间的夹角(β)即可得到多晶硅薄膜残余应力。
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