[发明专利]薄膜太阳能电池的CIS基吸收层中的三维组成分布有效
申请号: | 201410247822.X | 申请日: | 2014-06-05 |
公开(公告)号: | CN104795457B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | 黄乾燿 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/065;H01L31/0749;H01L31/18;H01L21/02 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供了用于形成包括三维组成分布的薄膜太阳能电池的CIS基吸收层的结构和方法。本发明提供了具有两个或多个不同区域的图案化的吸收层,每个区域具有一种或多个组分的不同浓度分布。在一些实施例中,不同的区域具有各自不同的GGI分布。GGI表示CIS基吸收材料中的原子比率Ga/(Ga+In),并且在一些实施例中两个或多个不同的区域具有从CIS基吸收层的顶部至底部的GGI梯度。方法包括使用共蒸发系统中的两个蒸发源以在衬底上产生彼此相邻的两个或多个不同区域。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 cis 吸收 中的 三维 组成 分布 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池,包括:衬底;CIS基吸收层,设置在所述衬底的上方,所述CIS基吸收层具有底面和顶面以及包括至少一个第一区域和多个第二区域的水平图案,所述第一区域和所述第二区域从所述底面至所述顶面具有不同的组成分布;其中,所述至少一个第一区域和所述多个第二区域由相同的组分形成,其中,在每个所述第一区域和每个所述第二区域中,所述组成分布是从所述顶面至所述底面增加的原子比率Ga/(Ga+In)的梯度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的