[发明专利]一种基于晶界相评价氮化硅滚动接触疲劳性能的方法在审
| 申请号： | 201410249490.9 | 申请日： | 2014-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN105319222A | 公开（公告）日： | 2016-02-10 |
| 发明（设计）人： | 张培志;祁海;郭方全 | 申请（专利权）人： | 上海材料研究所 |
| 主分类号： | G01N21/95 | 分类号： | G01N21/95 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 200437*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及陶瓷材料领域，特别是涉及一种基于晶界相评价氮化硅滚动接触疲劳性能的方法。本发明公开了一种基于晶界相评价氮化硅滚动接触疲劳性能的方法，包括下列步骤：Si3N4球进行滚动接触疲劳试验；对晶界相的影响进行评价：滚动接触疲劳试验后用显微镜观察Si3N4球，并将Si3N4球表面的浅层剥落作为疲劳失效的判断标志，该浅层剥落是指在Si3N4球表面形成微米级深度、面积和晶界相偏析所形成的缺陷相近的细小剥落。与现有技术相比，本发明提出了一个影响Si3N4球滚动接触疲劳性能的新因素，并对其进行了评价，结果可以作为Si3N4球使用载荷的参考，也可以作为Si3N4球生产商质量筛选的依据。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 晶界相 评价 氮化 滚动 接触 疲劳 性能 方法 | ||
【主权项】：
一种基于晶界相评价氮化硅滚动接触疲劳性能的方法，包括下列步骤a)Si3N4球进行滚动接触疲劳试验；b)对晶界相的影响进行评价：滚动接触疲劳试验后用显微镜观察Si3N4球，并将Si3N4球表面的浅层剥落作为疲劳失效的判断标志，该浅层剥落是指在Si3N4球表面形成微米级深度、面积和晶界相偏析所形成的缺陷相近的细小剥落。
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