[发明专利]一种疲劳性能优越的氮化硅滚动元件及其制造方法在审
| 申请号： | 201410249492.8 | 申请日： | 2014-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN105315010A | 公开（公告）日： | 2016-02-10 |
| 发明（设计）人： | 张培志;祁海;郭方全 | 申请（专利权）人： | 上海材料研究所 |
| 主分类号： | C04B41/80 | 分类号： | C04B41/80 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 200437*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及陶瓷材料领域，特别是涉及一种疲劳性能优越的氮化硅滚动元件及其制造方法。本发明公开了一种疲劳性能优越的氮化硅滚动元件制造方法，其特征在于将Si3N4烧结体进行HIP处理再进行热处理，也可直接进行热处理，所述热处理方法为将Si3N4烧结体置于真空或N2气氛中在1300～1500℃下保温10～30h。本发明通过热处理方法使得Si3N4烧结体中晶界相进一步被烧结体所含的Sialon相吸收，可以减少Si3N4晶界相含量并促进晶界相结晶从而提高晶界相的强度，且使晶界相与基体材料之间的结合力得到提高，另外，这一方法还可以有效提高Si3N4烧结体的高温性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 疲劳 性能 优越 氮化 滚动 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种疲劳性能优越的氮化硅滚动元件的制造方法，其特征在于将Si3N4烧结体进行HIP处理再进行热处理，也可直接进行热处理，所述热处理方法为将Si3N4烧结体置于真空或N2气氛中在1300～1500℃下保温10～30h。
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