[发明专利]具有低消耗电流的内存和降低内存消耗电流的方法有效
| 申请号： | 201410249607.3 | 申请日： | 2014-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN104238959B | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 夏浚 | 申请（专利权）人： | 钰创科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有低消耗电流的内存和降低内存消耗电流的方法，其中所述内存包括一控制器和多个记忆区块，且所述多个记忆区块中的每一个记忆区块包括多个记忆区段。所述方法包括所述控制器致能对应所述多个记忆区块中一第一记忆区块的地址和一第一列地址的激活指令；所述第一记忆区块的一记忆区段内对应所述第一列地址的一字符开关根据所述激活指令开启；所述控制器致能对应所述记忆区段的地址的一存取指令；对应所述记忆区段的多个位开关根据所述存取指令开启；在所述存取指令去能后，所述控制器致能对应随后记忆区段的地址和所述第一记忆区块的地址的一预充电指令。相较于现有技术，本发明所公开的方法和内存可降低消耗电流。 1 | ||
| 搜索关键词： | 记忆区块 记忆区段 控制器 内存 存取指令 致能 低消耗电流 激活指令 内存消耗 列地址 个位开关 消耗电流 预充电 指令 | ||
【主权项】：
1.一种降低内存消耗电流的方法，其中所述内存包括一控制器、多个记忆区块和多个缓存器，且所述多个记忆区块中的每一个记忆区块包括多个记忆区段，且对应所述多个缓存器中的一缓存器，所述方法包括：所述控制器致能对应所述多个记忆区块中一第一记忆区块的地址和一第一列地址的激活指令；所述方法的特征在于还包括：所述第一记忆区块的一记忆区段内对应所述第一列地址的一字符开关根据所述激活指令开启；所述控制器致能对应所述记忆区段的地址的一存取指令；对应所述记忆区段的多个位开关根据所述存取指令开启；及在所述存取指令去能后，所述控制器致能对应一随后记忆区块内的一随后记忆区段的地址和所述第一记忆区块的地址的一预充电指令，其中所述随后记忆区块内的所述随后记忆区段的地址是储存在一对应的缓存器内，且所述预充电指令不预充电所述随后记忆区块内的所述随后记忆区段外的其他记忆区段。
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