[发明专利]高灵敏度分子电位分析仪在审
| 申请号： | 201410249763.X | 申请日： | 2014-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN104020212A | 公开（公告）日： | 2014-09-03 |
| 发明（设计）人： | 储冬红;郭睦庚;彭飞;其他发明人请求不公开姓名 | 申请（专利权）人： | 成都中远千叶科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/416 | 分类号： | G01N27/416 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610100 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 高灵敏度分子电位分析仪，主要包括：进样装置，样品流态化装置，分子电荷载体装置，分子电势转化装置，活性分子电极装置，标准分子电极装置，分子电位校正装置，电位信号放大装置，电位信号传导装置，分子电位信号显示与记录装置；其中，分子电荷载体装置含有分子电荷载体膜，该载体膜材料为三苄噻唑六嘧啶五氟铪的纳米复合薄膜，膜厚度为0.55um,分子电势转化装置含有分子电势转化电极，该电极材料为乙酮五氯苄三丙胺六溴鐽的复合电极材料，活性分子电极装置含有分子电极，该电极材料为五吡啶二苯腈三苯胺碘鈩的复合电极材料。 | ||
| 搜索关键词： | 灵敏度 分子 电位 分析 | ||
【主权项】：
高灵敏度分子电位分析仪，其特征在于，主要包括：1‑‑进样装置，2‑‑样品流态化装置，3‑‑分子电荷载体装置，4‑‑分子电势转化装置，5‑‑活性分子电极装置，6‑‑标准分子电极装置，7‑‑分子电位校正装置，8‑‑电位信号放大装置，9‑‑电位信号传导装置，10‑‑分子电位信号显示与记录装置；其中，分子电荷载体装置（3）含有分子电荷载体膜，该载体膜材料为三苄噻唑六嘧啶五氟铪的纳米复合薄膜，膜厚度为0.55um,分子电势转化装置（4）含有分子电势转化电极，该电极材料为乙酮五氯苄三丙胺六溴鐽的复合电极材料，活性分子电极装置（5）含有分子电极，该电极材料为五吡啶二苯腈三苯胺碘鈩的复合电极材料。
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