[发明专利]一种基于ALD的石墨烯基热电子晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201410250193.6 | 申请日： | 2014-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN103985741A | 公开（公告）日： | 2014-08-13 |
| 发明（设计）人： | 程新红;郑理;曹铎;王中健;徐大伟;夏超;沈玲燕;俞跃辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/78;H01L21/04 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于ALD的石墨烯基热电子晶体管及其制备方法，包括步骤：1)提供一重掺杂N型Si，在其表面两侧生长发射区电极；2)在所述重掺杂N型Si表面热氧化形成第一势垒；3)在所述第一势垒表面形成单层石墨层作为基区，并在其表面两侧形成基区电极；4)利用ALD工艺在所述单层石墨烯表面的基区电极之间形成第二势垒，并在第二势垒表面形成金属集电区。本发明通过制备单层石墨烯作为基区，利用石墨烯准弹道传输的性能，结合热电子的隧穿特性使热电子器件的性能更好；而利用ALD在单层石墨烯表面生长的高k金属氧化物势垒厚度可控且无针孔，质量好。另外，本发明提供制备方法具有制备精确、制备工艺流程简单、产量高的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 ald 石墨 热电子晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于ALD的石墨烯基热电子晶体管的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括步骤：1)提供一重掺杂N型Si，在所述重掺杂N型Si表面两侧生长发射区电极；2)在所述重掺杂N型Si表面的发射区电极之间热氧化形成第一势垒；3)在所述第一势垒表面形成单层石墨烯作为基区，并在所述单层石墨烯表面两侧形成基区电极；4)利用ALD工艺在所述单层石墨烯表面的基区电极之间形成第二势垒，并在第二势垒表面形成金属集电区，完成石墨烯基热电子晶体管的制备。
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