[发明专利]一种采用近红外光谱分析甲基乙烯基聚硅氧烷中乙烯基含量的方法有效

专利信息
申请号: 201410250250.0 申请日: 2014-06-09
公开(公告)号: CN104020131A 公开(公告)日: 2014-09-03
发明(设计)人: 刘根兰;程顺弟;刘雪梅;陈卫东 申请(专利权)人: 蓝星化工新材料股份有限公司江西星火有机硅厂
主分类号: G01N21/359 分类号: G01N21/359
代理公司: 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 代理人: 施秀瑾
地址: 330319 *** 国省代码: 江西;36
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摘要: 发明公开了一种采用近红外光谱分析甲基乙烯基聚硅氧烷中乙烯基含量的方法,先采用离心消泡进行样品预处理,建立近红外光谱模型分析甲基乙烯基聚硅氧烷中乙烯基的含量,与氧化还原法和气相色谱法相比,具有不破坏样品,操作简单,分析快速,无环境污染等优点。
搜索关键词: 一种 采用 红外 光谱分析 甲基 乙烯基 聚硅氧烷中 含量 方法
【主权项】:
一种采用近红外光谱分析甲基乙烯基聚硅氧烷中乙烯基含量的方法,其特征在于:先采用离心消泡进行样品预处理,建立近红外光谱模型分析甲基乙烯基聚硅氧烷中乙烯基的含量。
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