[发明专利]改善外延层电阻率均匀性的方法有效
申请号: | 201410250516.1 | 申请日: | 2014-06-06 |
公开(公告)号: | CN103996608A | 公开(公告)日: | 2014-08-20 |
发明(设计)人: | 史超;王海红;曹荣 | 申请(专利权)人: | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/20 | 分类号: | H01L21/20;H01L21/22 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 200233 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种改善外延层电阻率均匀性的方法,通过根据测试样品生长的外延层的电阻率的分布情况,选择掺杂剂对所述腔体的内部进行预覆盖,即在所述腔体内生长一层含有所述掺杂剂的薄膜,之后对衬底进行外延工艺。在进行外延工艺过程中,进行过预覆盖的腔体的内部的腔体的侧壁和基座上的所覆盖的掺杂剂会受高温影响扩散出来,从而改变衬底边缘的掺杂气体浓度,掺杂气体进入外延层中,改变了所述外延层边缘的电阻率分布,降低了自掺杂现象对外延层电阻率均匀性的影响,提高了产品良率。 | ||
搜索关键词: | 改善 外延 电阻率 均匀 方法 | ||
【主权项】:
一种改善外延层电阻率均匀性的方法,其特征在于,包括:提供进行外延工艺的腔体、测试样品及衬底;对所述测试样品进行外延工艺,在所述测试样品上生长一外延层;对测试样品的所述外延层进行电阻率的测试;对经过外延工艺的腔体的内部进行刻蚀;根据所述外延层的电阻率的分布情况,选择掺杂剂对所述腔体的内部进行预覆盖;将所述衬底放入预覆盖处理过的腔体中,进行外延工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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