[发明专利]抗单粒子翻转的SRAM型FPGA刷新电路及刷新方法

摘要

抗单粒子翻转的SRAM型FPGA刷新电路及刷新方法，涉及现场可编程门阵列的空间抗单粒子翻转领域，解决现有SRAM型FPGA刷新电路及方法利用外部控制器实现对配置命令和配置数据的重新加载，存在电路复杂度高，控制器存在不稳定性等问题，采用两片相同的存储器，BOOT存储了完整的配置文件，配置文件中包含了用户要实现的功能模块和FGPA实现自身刷新的刷新模块，SCRUB存储了编辑后的配置文件，FPGA加载完第一片存储器后，刷新模块启动进入刷新模式，通过周期性地读取SCRUB存储器中的配置文件，实现FPGA正常工作下的周期刷新。本发明有效地降低FPGA刷新的功耗和电路复杂度。

主权项

一种抗单粒子翻转的SRAM型FPGA刷新电路，其特征是，包括BOOT存储器和SCRUB存储器；所述BOOT存储器用于存储用户功能模块，SCRUB存储器用于存储对BOOT存储器中的配置文件重新编辑后的配置文件，所述BOOT存储器通过数据线和控制线实现对FPGA的加载；加载完成后，FPGA内部刷新模块周期性的控制I/O口，所述I/O口与SCRUB存储器的控制端连接；控制SCRUB存储器中的配置文件周期性加载到FPGA中。