[发明专利]一种高精度导弹通电寿命的统计方法有效
申请号: | 201410251181.5 | 申请日: | 2014-06-06 |
公开(公告)号: | CN105303641B | 公开(公告)日: | 2018-08-03 |
发明(设计)人: | 卢娥;张志文;程越巍;马标;田若思;王道明;刘思思;蒋乐峰 | 申请(专利权)人: | 上海机电工程研究所 |
主分类号: | G07C3/02 | 分类号: | G07C3/02 |
代理公司: | 上海航天局专利中心 31107 | 代理人: | 徐钫 |
地址: | 201109 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明的一种高精度导弹通电寿命的统计方法,包括如下步骤:首先地面测试设备给弹上智能设备供电,弹上智能装置获取上次通电寿命时间,同时找到当前的存数地址,开始按照固定周期实施计时功能并将数据按顺序存储至后续空间;地面测试设备与弹上智能设备建立起通信,命令弹上智能设备回传当前导弹寿命计时值,获取寿命时间后进行记录显示。该方法充分利用弹上智能装置中的富余存储空间,开辟两片或多片独立的可单独擦写的空间,从而实现了完整准确的记录整个导弹通电寿命时间的功能。 | ||
搜索关键词: | 一种 高精度 导弹 通电 寿命 统计 方法 | ||
【主权项】:
1.一种高精度导弹通电寿命的统计方法,其特征在于,包括如下步骤:(a)地面测试设备给弹上智能设备供电,弹上智能设备获取上次通电寿命时间,同时找到当前的存数地址,开始按照固定周期实施计时功能并将数据按顺序存储至后续空间;(b)地面测试设备与弹上智能设备建立起通信,命令弹上智能设备回传当前导弹寿命计时值,获取寿命时间后进行记录显示;所述弹上智能设备采用32 bit /16bit/8bit宽度的能够分片独立擦写的FLASH,通过使用双缓存或多缓存区域,交替或连续完成通电时一段时间的记录;当采用双缓存模式时,具体设定I片区的基地址301,在I片区的基地址301里记录一个通电寿命基础时间t0;第一个记录点到来之后,往基地址后续的第一个8bit地址上打一时戳0x00;第二个记录点到来时,往第二个8bit地址上打一时戳,如此持续直至I片区末地址前的所有空间记录完毕一共打了M个时戳,则在I片区的末地址302处和Ⅱ片区的首地址303处记录上当前的寿命值t0+MΔt,此时对片区I进行擦除处理,擦除完毕后片区I恢复到初始状态0xFF;如果在擦除过程中出现断电可能导致第I片区域擦除任务未完成,则下次上电时要分辨出第II片当前记录位置处于首位而第I片还未清除的状态,此时需要重新擦除第I片区域,如果第I片已经擦除干净,则不需再进行擦除处理,直接转至随后顺序记录后续的时刻标识的工作即可,直至第II片区域记录全部打上时戳,直接给Ⅱ片区的末地址305处和I片区的基地址301处记录上t0+2MΔt,同时清除片区II,如此往复,进行数据记录。
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