[发明专利]一种芯片修复方法和装置有效
申请号: | 201410251439.1 | 申请日: | 2014-06-06 |
公开(公告)号: | CN105448348B | 公开(公告)日: | 2019-01-11 |
发明(设计)人: | 张君宇;苏志强 | 申请(专利权)人: | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
主分类号: | G11C29/44 | 分类号: | G11C29/44 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 苏培华 |
地址: | 100083 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种芯片修复方法和装置,以解决GBL修复无法满足芯片良品率提升,以及性能提升要求的问题。所述方法包括:对芯片中的主阵列存储单元进行测试,得到发生故障的存储单元的地址信息;根据发生故障的存储单元的地址信息与芯片中的冗余存储单元,对芯片进行修复;其中,冗余存储单元包括第一存储单元和第二存储单元;第一存储单元与主阵列存储单元共用阱、位线和高位地址;第二存储单元与主阵列存储单元不共用阱、位线和高位地址。本发明通过在芯片中增加第二存储单元,增加了一种对芯片进行修复的方式,在GBL修复无法完全对芯片进行修复时,可以进行第二修复,满足了芯片良品率提升,以及性能提升的要求。 | ||
搜索关键词: | 一种 芯片 修复 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种芯片修复方法,其特征在于,包括:对芯片中的主阵列存储单元进行测试,得到发生故障的存储单元的地址信息;根据所述发生故障的存储单元的地址信息与所述芯片中的冗余存储单元,对所述芯片进行修复;其中,所述冗余存储单元包括第一存储单元和第二存储单元;所述第一存储单元与所述主阵列存储单元共用阱、位线和高位地址;所述第二存储单元与所述主阵列存储单元不共用阱、位线和高位地址;所述根据所述发生故障的存储单元的地址信息与所述芯片中的冗余存储单元,对所述芯片进行修复,包括:根据所述发生故障的存储单元的地址信息和所述第一存储单元,对所述芯片进行第一修复;若所述第一修复之后,所述主阵列存储单元中仍存在发生故障的存储单元,根据仍存在的发生故障的存储单元的地址信息和所述第二存储单元,对所述芯片进行第二修复。
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