[发明专利]一种耐高压半导体器件在审
| 申请号： | 201410252132.3 | 申请日： | 2014-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN104009095A | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | 陈伟元 | 申请（专利权）人： | 苏州市职业大学 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 苏州铭浩知识产权代理事务所(普通合伙) 32246 | 代理人： | 刘艳春 |
| 地址： | 215104 江苏省苏州市吴中*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种耐高压半导体器件，包括上台体和与上台体底面面接触的下台体，重掺杂N型区位于轻掺杂N型区正上方并形成第一接触面，所述重掺杂P型区位于轻掺杂P型区正下方并形成第二接触面，所述上台体的轻掺杂N型区与下台体的轻掺杂P型区接触形成PN结接触面且其位于轻掺杂P型区正上方，所述第一接触面为上凸面，所述第二接触面为下凹面；轻掺杂N型区与重掺杂N型区接触的上部区域且位于第一轻掺杂N型区边缘的四周区域具有中掺杂N型区，轻掺杂P型区与重掺杂P型区接触的下部区域且位于轻掺杂P型区边缘的四周区域具有中掺杂P型区。本发明提高了器件耐高温性能，降低了在边缘处电场强度梯度，从而提高了器件耐压性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种耐高压半导体器件，其特征在于：包括上台体（1）和与上台体（1）底面面接触的下台体（2），所述上台体（1）和与下台体（2）各自的外侧面均为斜面，此上台体（1）包括轻掺杂N型区（3）、重掺杂N型区（4），此下台体（2）包括重掺杂P型区（5）、轻掺杂P型区（6）；所述重掺杂N型区（4）位于轻掺杂N型区（3）正上方并形成第一接触面，所述重掺杂P型区（5）位于轻掺杂P型区（6）正下方并形成第二接触面，所述上台体（1）的轻掺杂N型区（3）与下台体的轻掺杂P型区（6）接触形成PN结接触面且其位于轻掺杂P型区（6）正上方，所述第一接触面为上凸面（13），所述第二接触面为下凹面（14）；一第一钝化保护层（7）覆盖于重掺杂N型区（4）上表面的边缘区域和重掺杂N型区（4）的侧表面，一第二钝化保护层（8）覆盖于重掺杂P型区（5）上表面的边缘区域和重掺杂P型区（5）的侧表面，上金属层（9）覆盖于重掺杂N型区（4）的中央区域，下金属层（10）覆盖于重掺杂P型区（5）的中央区域；所述轻掺杂N型区（3）与重掺杂N型区（4）接触的上部区域且位于轻掺杂N型区（3）边缘的四周区域具有中掺杂N型区（11），此中掺杂N型区（11）的上表面与重掺杂N型区（4）的下表面接触，此中掺杂N型区（11）的外侧面延伸至上台体（1）外侧面，所述轻掺杂P型区（6）与重掺杂P型区（5）接触的下部区域且位于轻掺杂P型区（6）边缘的四周区域具有中掺杂P型区（12），此中掺杂P型区（12）的下表面与重掺杂P型区（5）的上表面接触，此中掺杂P型区（12）的外侧面延伸至下台体（2）外侧面。
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