[发明专利]在与原始基板的热膨胀系数不同的基底上制造薄膜的方法有效
| 申请号： | 201410252349.4 | 申请日： | 2014-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN104868050B | 公开（公告）日： | 2017-11-17 |
| 发明（设计）人： | 胡文 | 申请（专利权）人： | 济南晶正电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L41/31 | 分类号： | H01L41/31 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人： | 尹淑梅,任聪 |
| 地址： | 250101 山东省济*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在与原始基板的热膨胀系数不同的基底上制造薄膜的方法，该方法包括通过离子注入法将离子注入到原始基板的表面；对离子注入后的原始基板进行加热；使基底与原始基板的薄膜层接触，进而在室温下利用晶片键合法将原始基板与基底键合在一起，以形成键合体，其中，基底的热膨胀系数与原始基板的热膨胀系数不同；在低于190℃的条件下对键合体加热达预定时间，使得薄膜层和余质层分离；在薄膜层和余质层分离之后，对薄膜层进行退火处理。本发明实现了在与原始基板的热膨胀系数不同的基底上制作薄膜，并且可以制备出大尺寸、纳米级厚度、膜厚均匀、低缺陷密度的薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 始基 热膨胀 系数 不同 基底 制造 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种在与原始基板的热膨胀系数不同的基底上制造薄膜的方法，所述方法包括如下步骤：通过离子注入法将He+离子注入到原始基板的表面，从而在原始基板中形成薄膜层、分离层和余质层，其中，薄膜层位于原始基板的表面，分离层位于薄膜层和余质层之间，注入的离子分布在分离层内；对离子注入后的原始基板进行加热，以使分布在分离层内的离子得到以使离子形成气泡而所述气泡又不能使原始基板的薄膜层脱落或损坏的能量；使基底与原始基板的薄膜层接触，进而在室温下利用晶片键合法将原始基板与基底键合在一起，以形成键合体，其中，基底的热膨胀系数与原始基板的热膨胀系数不同；在低于190℃的条件下对键合体加热达预定时间，使得薄膜层和余质层分离；在薄膜层和余质层分离之后，对薄膜层加热，以进行退火处理，其中，在对离子注入后的原始基板进行加热的步骤中，将离子注入后的原始基板在200℃～250℃的条件下加热1h～5h，其中，所述原始基板为铌酸锂晶片或钽酸锂晶片，所述基底为硅晶片或二氧化硅晶片。
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