[发明专利]一种浅沟槽隔离结构的制作方法在审
| 申请号： | 201410252905.8 | 申请日： | 2014-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN105448802A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 范建国;沈建飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种浅沟槽隔离结构制作方法，所述浅沟槽隔离结构制作方法包括以下步骤：首先，提供表面形成有多个沟槽的半导体衬底，在所述沟槽的底部和侧壁进行掺氮工艺，形成掺氮层；然后，刻蚀去除所述沟槽底部的掺氮层；最后，在所述沟槽底部和侧壁生长厚度均匀一致的衬氧化层。本发明通过在沟槽的侧壁上形成掺氮层，从而在氧化形成衬氧化层的过程中，降低沟槽侧壁的氧化速率，使沟槽侧壁和底部形成的衬氧化层厚度均匀一致，避免器件发生漏电，提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 隔离 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种浅沟槽隔离结构制作方法，其特征在于，所述浅沟槽隔离结构制作方法至少包括：1)提供表面形成有多个沟槽的半导体衬底，在所述沟槽的底部和侧壁进行掺氮工艺，形成掺氮层；2)刻蚀去除所述沟槽底部的掺氮层；3)在所述沟槽底部和侧壁生长厚度均匀一致的衬氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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