[发明专利]一种采用双侧墙工艺形成超低尺寸图形的方法

摘要

一种采用双侧墙工艺形成超低尺寸图形的方法，包括：形成具有第一特征尺寸的图形；接着在该图形上沉积一层薄膜材料，形成均匀覆盖掩模图形的共形层，侧墙上薄膜的厚度为第一厚度；进行第二次光刻并显影，定义第一器件区域；在该图形上进行第二次沉积，沉积一层薄膜材料，沉积厚度为第二厚度，此时第一器件区域覆盖材料的厚度为第一厚度加第二厚度的和，第二器件区域的厚度为第二厚度；各向异性地刻蚀薄膜材料，将掩模层顶部和底部的薄膜材料去除，只留下侧壁上的薄膜材料；灰化工艺选择性地去除硬掩模，只留下薄膜材料形成的侧墙；利用薄膜材料作为刻蚀的新掩模进行刻蚀，形成具有由沉积薄膜的第一厚度和第二厚度决定的两种尺寸的超精细图形。

主权项

一种采用双侧墙工艺形成超低尺寸图形的方法，其特征在于包括：首先用一层掩模版进行第一次光刻并刻蚀衬底上的掩模层以形成具有第一特征尺寸的图形；接着在该图形上沉积一层薄膜材料，形成均匀覆盖掩模图形的共形层，侧墙上薄膜的厚度为第一厚度；进行第二次光刻并显影，以将光刻胶覆盖的一部分薄膜材料定义为第一器件区域，将作为第二器件区域的暴露部分的薄膜材料去除；去除光刻胶，此时只有第一器件区域被薄膜材料覆盖；接着在该图形上进行第二次沉积，沉积一层薄膜材料，沉积厚度为第二厚度，此时第一器件区域覆盖材料的厚度为第一厚度加第二厚度的和，第二器件区域的的厚度为第二厚度；各向异性地刻蚀薄膜材料，将掩模层顶部和底部的薄膜材料去除，只留下侧壁上的薄膜材料；灰化工艺选择性地去除硬掩模，只留下薄膜材料形成的侧墙；利用薄膜材料作为刻蚀的新掩模进行刻蚀，形成具有两种尺寸的超精细图形，两种尺寸由沉积薄膜的第一厚度和第二厚度决定。