[发明专利]3DIC密封环结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201410253422.X | 申请日： | 2014-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN104779243B | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 何承颖;陈保同;王文德;刘人诚;杨敦年 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L23/31;H01L21/98 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是3DIC密封环结构及其形成方法，本发明提供了一种半导体器件，包括第一半导体芯片，第一半导体芯片包括第一衬底、多个第一介电层以及多条导线，并且多条导线形成在第一衬底上方的第一介电层中。半导体器件还包括第二半导体芯片，第二半导体芯片的表面接合至第一半导体芯片的第一表面，第二半导体芯片包括第二衬底、多个第二介电层以及多条第二导线，并且多条第二导线形成在第二衬底上方的第二介电层中。半导体器件还包括从第一半导体芯片延伸至多条第二导线中的一条的第一导电部件，以及从第一半导体芯片延伸至第二半导体芯片的第一密封环结构。本发明还提供了形成半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | dic 密封 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一半导体芯片，包括第一衬底、多个第一介电层和多条导线，所述多条导线形成在所述第一衬底上方的第一介电层中；第二半导体芯片，所述第二半导体芯片的一表面接合至所述第一半导体芯片的第一表面，所述第二半导体芯片包括第二衬底、多个第二介电层和多条第二导线，并且所述多条第二导线形成在所述第二衬底上方的第二介电层中；第一导电部件，从所述第一半导体芯片延伸至所述多条第二导线中的一条；以及第一密封环结构，从所述第一半导体芯片延伸至所述第二半导体芯片；第二密封环结构，延伸穿过所述多个第二介电层；第三密封环结构，延伸穿过所述多个第一介电层。
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