[发明专利]利用氮注入改善锗硅选择性外延的侧墙淀积问题的方法

摘要

本发明提供了一种利用氮注入改善锗硅选择性外延的侧墙淀积问题的方法，包括提供在衬底中形成有由隔离区隔开的NMOS器件区域以及PMOS器件区域的硅片，其中在NMOS器件区域以及PMOS器件区域上形成有具有氮化硅侧墙的栅极结构；在衬底的NMOS器件区域上布置光刻掩膜，暴露PMOS器件区域；利用氮注入工艺和退火工艺对光刻掩膜暴露的PMOS器件区域的氮化硅侧墙进行侧墙表面预处理；对经过侧墙表面预处理之后的PMOS器件区域进行刻蚀以形成源漏区凹槽；通过选择性外延生长填充刻蚀形成的源漏区凹槽以形成锗硅源漏区。通过在蚀刻之前先使用低能量的氮注入和高温退火，进行侧墙表面预处理，可以消耗硅断键，降低侧墙的锗硅层的淀积速度，增强淀积选择性。

主权项

一种利用氮注入改善锗硅选择性外延的侧墙淀积问题的方法，其特征在于包括：第一步骤，用于提供在衬底中形成有由隔离区隔开的NMOS器件区域以及PMOS器件区域的硅片，其中在NMOS器件区域以及PMOS器件区域上形成有具有氮化硅侧墙的栅极结构；第二步骤，用于在衬底的NMOS器件区域上布置光刻掩膜，暴露PMOS器件区域；第三步骤，用于利用氮注入工艺和退火工艺对光刻掩膜暴露的PMOS器件区域的氮化硅侧墙进行侧墙表面预处理；第四步骤，用于对经过侧墙表面预处理之后的PMOS器件区域进行刻蚀以形成源漏区凹槽；第五步骤，用于通过选择性外延生长填充刻蚀形成的源漏区凹槽以形成锗硅源漏区。